Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне
|
Автор: Вонг Б.П.
Жанр: Радиоэлектроника
Год: 2014 Количество страниц: 432
Формат:
PDF (21.60 МБ)
Дата загрузки: 22 апреля 20182017-09-12
|
Аннотация
Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4—9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса. Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.
Скачать
|
Комментарии
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикаци.
|
|